1，半導(dǎo)體廢氣簡述

半導(dǎo)體制造工藝中需要使用多種特殊氣體、大量的酸、堿等化學(xué)品以及有機(jī)溶劑和揮發(fā)性液體，這些氣體和化學(xué)品在半導(dǎo)體制造的不同工藝中使用，產(chǎn)生酸性、堿性、有機(jī)廢氣，這些廢氣如果沒有經(jīng)過處理直接排放，將造成嚴(yán)重的污染問題，不僅影響人們的身體健康，惡化大氣環(huán)境，造成環(huán)境污染的公害事件等，因此，必須對半導(dǎo)體廢氣進(jìn)行凈化處理后，達(dá)到大氣污染物標(biāo)準(zhǔn)排放。

1.1 半導(dǎo)體廢氣污染物來源

（1）酸性/堿性工藝廢氣

酸性廢氣來源于工藝流程中使用的各種酸液和酸性氣體對芯片的腐蝕過程和清洗過程，主要污染物為氟化物、硫酸霧、氮氧化物、氯化氫；堿性廢氣來源于刻蝕工序和工藝過程中使用的氨水和氨氣，主要成分為氨。

（2）有機(jī)廢氣

有機(jī)廢氣污染物丙酮、甲醇、二甲苯和異丙醇來源于使用有機(jī)溶劑清洗和光刻過程。半導(dǎo)體制造工藝中使用的有機(jī)溶劑量比較大，因此，對有機(jī)廢氣處理采取單獨(dú)處理設(shè)備。

（3）特殊氣體工藝尾氣

特殊氣體工藝廢氣是指在氧化、擴(kuò)散、CVD沉積、離子注入、干法刻蝕等工序中產(chǎn)生的微量硅烷、磷烷、硼烷、以及CLa、CF4。

2.半導(dǎo)體廢氣處理方法

2.1 半導(dǎo)體工藝尾氣處理

（1）摻雜氣體工藝尾氣處理

在集成電路芯片的加工過程中，摻雜氣體工藝尾氣主要來自擴(kuò)散、CVD沉積、離子注入工序，尾氣中含有微量硅烷、磷烷、三氯化硼、硼烷等特殊氣體。

為防止出現(xiàn)工藝尾氣中特殊氣體的排放濃度突然增大的情況和其它意外突發(fā)情況，確保工藝尾氣的安全處理效果，經(jīng)源頭處理后的工藝尾氣再經(jīng)有機(jī)廢氣處理系統(tǒng)和酸性廢氣處理系統(tǒng)處理后排放。

即要求擴(kuò)散爐、強(qiáng)束流離子注入機(jī)、低濃度離子注入機(jī)、CVD機(jī)配套工藝尾氣凈化裝置，工藝尾氣再經(jīng)有機(jī)廢氣處理系統(tǒng)和酸性廢氣處理系統(tǒng)處理后排放。

半導(dǎo)體芯片廠一般配套的工藝尾氣凈化裝置采用燃燒法處理這些廢氣，并且將燃燒過的排氣再經(jīng)有機(jī)廢氣處理系統(tǒng)和酸性廢氣處理系統(tǒng)作進(jìn)一步處理。

燃燒后的SiO2、PO等顆粒物沉淀，燃燒產(chǎn)生的尾氣納入酸性廢氣處理系統(tǒng)，可被堿液噴淋吸收凈化處理。

（2）干法蝕刻工藝尾氣處理

干法刻蝕使用氯氣、四氟化碳等全氟化物（PFCs），大部分氯氣和全氟化物轉(zhuǎn)化為氯化氫和氟化物，未反應(yīng)部分經(jīng)配套的工藝尾氣凈化裝置處理，再經(jīng)有機(jī)廢氣處理系統(tǒng)和酸性廢氣處理系統(tǒng)處理后排放。一般對氯氣和全氟化物工藝尾氣采用化學(xué)吸附法處理。

2.2 半導(dǎo)體工藝廢氣處理

（1）酸堿性廢氣處理方法

對清洗槽產(chǎn)生的酸堿廢氣、含氟廢氣以及預(yù)處理后的廢氣，輸送進(jìn)入酸堿洗滌塔，通過酸堿中和法將半導(dǎo)體制造工藝中的酸性堿廢氣、含氟廢氣去除，達(dá)到環(huán)保排放的要求。

酸堿洗滌塔屬于微分接觸逆流式，塔體內(nèi)的填料是氣液兩相接觸的基本構(gòu)件。塔體外部的氣體進(jìn)入塔體后，氣體進(jìn)入填料層，填料層上有來自于頂部的噴淋液體及前面的噴淋液體，并在填料上形成一層液膜，氣體流經(jīng)填料空隙時(shí)，與填料液膜接觸并進(jìn)行吸收或中和反應(yīng)，填料層能提供足夠大的表面積，對氣體流動(dòng)又不致造成過大的阻力，經(jīng)吸收或中和后的氣體經(jīng)除霧器收集后，經(jīng)出風(fēng)口排出塔外。廢氣由風(fēng)機(jī)自風(fēng)管吸入，自下而上穿過填料層循環(huán)水由塔頂通過液體分布器，均勻地噴淋到填料層中，沿著填料層表面向下流動(dòng)，進(jìn)入循環(huán)水箱。由于上升氣流和下降吸收劑在填料中不斷接觸，上升氣流中流質(zhì)的濃度越來越低，到塔頂時(shí)達(dá)到排放要求。液膜上的液體在重力作用下流入循環(huán)水池，并由循環(huán)泵抽出循環(huán)。噴淋塔上段配備有除霧系統(tǒng)，凈化后的氣體通過除霧器的彎曲通道，在慣性力及重力的作用下將氣流中夾帶的液滴分離出來，處理后的廢氣以一定的速度流經(jīng)除霧器，廢氣被快速、連續(xù)改變運(yùn)動(dòng)方向，因離心力和慣性的作用，廢氣內(nèi)的霧滴撞擊到除霧器葉片上被捕集下來，霧滴匯集形成水流，因重力的作用，下落至漿液池內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了氣液分離，使得流經(jīng)除霧器的廢氣達(dá)到除霧要求后排出。

（2）有機(jī)廢氣處理方法

清洗槽、光刻機(jī)、去膠機(jī)等產(chǎn)生的有機(jī)廢氣，然而對于有機(jī)廢氣處理方法有很多種，常見主要有活性炭吸附法、燃燒法、UV光解凈化法等，接下來，天浩洋環(huán)保小編詳細(xì)介紹半導(dǎo)體有機(jī)廢氣處理方法。

① 活性炭吸附法

活性炭吸附法主要原理就是利用多孔固體吸附劑（活性碳、硅膠、分子篩等）來處理有機(jī)廢氣，這樣就能夠通過化學(xué)鍵力或者是分子引力充分吸附有害成分，并且將其吸附在吸附劑的表面，從而達(dá)到凈化有機(jī)廢氣的目的。吸附法目前主要應(yīng)用于大風(fēng)量、低濃度（≤800mg/m3）、無顆粒物、無粘性物、常溫的低濃度有機(jī)廢氣凈化處理。

活性炭凈化率高（活性炭吸附可達(dá)到95%以上），實(shí)用遍及，操縱簡單，投資低。在吸附飽和以后需要更換新的活性炭，更換活性炭需要費(fèi)用，替換下來的飽和以后的活性炭也是需要找專業(yè)人員進(jìn)行危廢處理，運(yùn)行費(fèi)用高。

② 燃燒法

燃燒法只在揮發(fā)性有機(jī)物在高溫及空氣充足的條件下進(jìn)行完全燃燒，分解為CO2和H2O。燃燒法適用于各類有機(jī)廢氣，可以分為直接燃燒、熱力燃燒和催化燃燒。

排放濃度大于5000mg/m3 的高濃度廢氣一般采用直接燃燒法，該方法將VOCs廢氣作為燃料進(jìn)行燃燒，燃燒溫度一般控制在1100℃，處理效率高，可以達(dá)到95％一99％。

熱力燃燒法適合于處理濃度在1000—5000 mg/m3 的廢氣，采用熱力燃燒法，廢氣中VOCs濃度較低，需要借助其他燃料或助燃?xì)怏w，熱力燃燒所需的溫度較直接燃燒低，大約為540—820℃。燃燒法處理VOCs廢氣處理效率高，但VOCs廢氣若含有S、N等元素，燃燒后產(chǎn)生的廢氣直接外排會(huì)導(dǎo)致二次污染。

通過熱力燃燒或者催化燃燒法處理有機(jī)廢氣，其凈化率是比較高的，但是其投資運(yùn)營成本極高。因廢氣排放的點(diǎn)多且分散，很難實(shí)現(xiàn)集中收集。燃燒裝置需要多套且需要很大的占地面積。熱力燃燒比較適合24小時(shí)連續(xù)不斷運(yùn)行且濃度較高而穩(wěn)定的廢氣工況，不適合間斷性的生產(chǎn)產(chǎn)線工況。催化燃燒的投資和運(yùn)營費(fèi)用相對熱力燃燒較低，但凈化效率也相對較低一些；但貴金屬催化劑容易因?yàn)閺U氣中的雜質(zhì)（如硫化物）等造成中毒失效，而更換催化劑的費(fèi)用很高；同時(shí)對廢氣進(jìn)氣條件的控制非常嚴(yán)格，否則會(huì)造成催化燃燒室堵塞而引起安全事故。

③ UV光解凈化法

UV光解凈化法利用高能UV紫外線光束分解空氣中的氧分子產(chǎn)生游離氧（即活性氧），因游離氧所攜帶正負(fù)電子不平衡所以需與氧分子結(jié)合，進(jìn)而產(chǎn)生臭氧，臭氧具有很強(qiáng)的氧化性，通過臭氧對有機(jī)廢氣、惡臭氣體進(jìn)行協(xié)同光解氧化作用，使有機(jī)廢氣、惡臭氣體物質(zhì)降解轉(zhuǎn)化成低分子化合物、CO2和H2O。

UV光解凈化法具有高效處理效率，可達(dá)到95%以上；適應(yīng)性強(qiáng)，可適應(yīng)中低濃度，大氣量，不同有機(jī)廢氣以及惡臭氣體物質(zhì)的凈化處理；產(chǎn)品性能穩(wěn)定，運(yùn)行穩(wěn)定可靠，每天可24小時(shí)連續(xù)工作；運(yùn)行成本低，設(shè)備耗能低，無需專人管理與維護(hù)，只需作定期檢查。UV光解法因采用光解原理，模塊采取隔爆處理，消除了安全隱患，防火、防爆、防腐蝕性能高，設(shè)備性能安全穩(wěn)定，特別適用于化工、制藥等防爆要求高的行業(yè)。

以上關(guān)于半導(dǎo)體廢氣處理方法介紹，希望可以幫到您，其實(shí)對于半導(dǎo)體廢氣處理，一般是需要根據(jù)廢氣的濃度、產(chǎn)生量、廢氣成分、如何收集等方面進(jìn)行設(shè)計(jì)。如果您有半導(dǎo)體廢氣需要凈化處理，可以隨時(shí)撥打400-808-2272電話，咨詢天浩洋環(huán)保,為您提供半導(dǎo)體廢氣處理方案及設(shè)備。